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                        A、玻璃行業專用碳化硅電熱元件
                        B、玻璃纖維坩堝爐專用硅碳棒
                        C、氮化硅燒結爐專用碳化硅電熱元件
                        D、通用型碳化硅電熱元件
                        E、抗腐蝕粗端部硅碳棒

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                        保護氣氛對硅碳棒的光潔度有明顯影響
                          硅碳棒的光潔度是衡量硅碳棒質量的一個重要指標。在H 70(1透射電鏡下,放大7aaa -i sooo倍觀察硅碳棒外貌,將表面非常光滑,沒有任何缺陷的硅碳棒定義的光潔硅碳棒;將表面略不光滑,但起伏不大的硅碳棒定義為表面較光潔硅碳棒;有的硅碳棒表面非常不光潔,有許多節瘤和分叉,定義為不光潔硅碳棒,見圖3。統計結果表明,稻殼原料生長的碳化硅硅碳棒中,上述三類硅碳棒所占比例分別為.2,.s.,at.m。影響硅碳棒光潔度的一個主要因素是反應過程中,硅碳棒生長局部范圍內氣氛的過飽和度。當過飽和度太低時,硅碳棒生成困難;當過飽和度到一定時,只有少數幾個活性較大的晶核長大生成硅碳棒,硅碳棒直,表面光潔,直徑在o. s,左右;隨著過飽和度蹭加,活化的晶核增多,生成的硅碳棒增多。硅碳棒細,直徑在0. 25rri左右,長出的硅碳棒開始出現不光滑,節瘤等,甚至受過飽和度的影響,活化了硅碳棒上的第二生長基點,從而使硅碳棒開始長出分枝,有時還出現少量的a-SiC晶型。
                          在反應過程中,保護氣氛對硅碳棒的光潔度有明顯影響,就是因為保護氣氛直接影響反應過程中的過飽和度。在Hi氣氛中,一方面借助氫氣的還原作用,發生反應C  2H一a,促使更多的碳活化,參與反應,加速反應速率;另一方面擴散系數大,擴散傳質速率高,反應成分濃度梯度小,因而生成的硅碳棒光潔度高;而在氫氣氣氛中,氫氣又起保護作用,并且氫氣擴散系數小,爐內反應成分依靠濃度梯度發生擴散傳質,反應成分過飽和度大,且不均勻比例大。實驗結果表明,在純氫氣氣氛中生長的硅碳棒有節瘤和分叉等缺陷,硅碳棒表面光潔度差,而在氫氣與氫氣混合氣氛中或純氫氣氣氛中生長的硅碳棒缺陷較少,表面光潔度好,但硅碳棒較細。www.tampatreepro.com
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